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Publikation: Zeitschriftenartikel
Luminescent properties of GaN films grown on porous silicon substrate
Grunddaten
Autoren
Einrichtung
Grunddaten
Titel
Luminescent properties of GaN films grown on porous silicon substrate
Veröffentlicht in
Journal of luminescence : an interdisciplinary journal of research on excited state processes in condensed matter. - Amsterdam : North-Holland Publ. Co
Erscheinungsjahr
2010
Seiten (von – bis)
399 – 403
Band
130
Heft-Nr.
3
Jahr
2010
Publikationsform
Druckschrift
Publikationsart
Zeitschriftenartikel
Sprache
Englisch
Letzte Änderung
17.05.2019 15:48:28
Bearbeitungsstatus
durch UB Rostock abschließend validiert
Dauerhafte URL
http://purl.uni-rostock.de/fodb/pub/31915
Links zu Katalogen
Autoren
Matoussi, A.
Ben Nasr, F.
Boufaden, T.
Salh, R.
Fakhfakh, Z.
Guermazi, S.
ElJani, B.
Fitting, Hans-Joachim
Einrichtung
MNF/Institut für Physik (IfPH)